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半导体废气处理案例客户公司介绍
标题: XX半导体有限公司废气治理项目:破解高毒性气体与纳米颗粒污染难题
正文:
XX半导体有限公司是国内领先的集成电路制造企业,拥有8英寸晶圆生产线和先进封装测试基地,年产值超百亿元。原有废气处理系统采用“活性炭吸附+碱喷淋吸收”工艺,存在以下问题:
环保问题突出:
光刻胶挥发产生苯系物(VOCs)和异丙醇(IPA),车间VOCs浓度高达800-1200mg/m³,超标排放频发;
蚀刻工序使用的氢氟酸(HF)和四氯化碳(CCl₄)泄漏导致厂区及周边氟化氢(HF)污染,威胁生态安全;
因环保不达标被罚款累计超500万元,面临停产整改压力。
安全隐患:
气体车间存储的硅烷(SiH₄)和氨气(NH₃)因泄漏引发爆炸风险,应急响应能力不足;
活性炭吸附塔内VOCs积聚,曾发生局部闪燃事故。
经济成本高:
年消耗活性炭超600吨,喷淋药剂费用超300万元,处理成本居高不下;
因订单流失导致年经济损失超千万元。
通过引入“多级预处理+等离子体催化氧化(PCO)+纳米纤维膜分离”技术,企业实现废气治理设施升级,年节省成本超800万元。
废气来源
标题: 半导体废气的主要产生环节与成分特性
正文:
主要污染源:
研磨液挥发产生有机酸(如柠檬酸)和氨气(NH₃)。
高能离子束轰击靶材产生靶材碎片和惰性气体(如Ar)泄漏。
溅射工艺产生金属蒸气(如钨、铝)和硅烷(SiH₄);
PECVD(等离子体增强化学气相沉积)释放等离子体活性物种。
光刻胶挥发产生苯乙烯(Styrene)、甲苯(Toluene)等VOCs;
蚀刻液(HF、HCl、BOE)挥发释放氟化氢(HF)、氯气(Cl₂)。
光刻/蚀刻车间:
薄膜沉积车间:
离子注入车间:
化学机械抛光(CMP):
废气特性:
组分复杂:含VOCs(苯系物、酯类)、HF(浓度10-50ppm)、SiH₄(易燃易爆)、金属蒸气(粒径1-10nm);
高毒性:HF具有强腐蚀性,SiH₄遇空气自燃风险高;
纳米颗粒:金属蒸气冷凝形成超细颗粒(PM0.1),穿透力强,传统除尘器难以捕捉。
废气处理案例处理详情
标题: “四级净化+智能管控”技术体系破解半导体废气难题
正文:
工艺设计原则:
分阶段治理:优先控制高危气体(HF、SiH₄),再处理VOCs与颗粒物;
耐腐蚀与防爆:全系统采用316L不锈钢+PTFE涂层,配置防爆风机(Exd II 2G)。
处理流程:
集成HF、VOCs、SiH₄、PM2.5传感器,实时上传至云端平台;
自动调节风量与药剂投加量,节能效率提升25%。
高效除尘系统:
活性炭纤维吸附塔:处理残余VOCs及微量HF,确保排放达标。
梯度分离器:分离粒径1-10μm颗粒物(效率≥90%);
电凝聚装置:捕获PM0.1超细颗粒(效率≥85%)。
等离子体催化氧化装置(PCO):
采用DBD(介质阻挡放电)技术,生成·OH自由基降解VOCs(苯系物去除率>99%);
催化剂为TiO₂/石墨烯复合材料,耐HF腐蚀性能提升50%。
纳米纤维膜初效过滤器:拦截粒径>10μm的粉尘与颗粒物(效率≥95%);
两级碱洗喷淋塔:
硅烷燃烧塔:将SiH₄与空气混合后高温焚烧(800℃),彻底分解为SiO₂。
一级塔吸收HF(NaOH溶液,pH=12-13),脱除率>99%;
二级塔中和Cl₂(Na₂S溶液,pH=8-9),脱除率>95%。
预处理单元:
核心处理单元:
深度净化单元:
智能监控系统:
关键技术创新:
HF高效吸收:采用大比表面积陶瓷填料,接触时间延长30%;
等离子体-催化协同:DBD与催化剂耦合,降低能耗30%;
纳米颗粒梯度分离:结合惯性碰撞与电场力,实现超细颗粒物高效捕集。
处理效果验证
标题: 第三方检测报告:半导体废气治理项目达标情况
正文:
检测机构:XX省生态环境监测中心(CMA资质)
检测指标:
参数
排放限值(mg/m³)
实测值(mg/m³)
HF 0.5 <0.1
苯系物 100 5
SiH₄ 10 未检出
PM0.1 5 1.2
VOCs 100 18
结论:所有污染物均符合《电子工业污染物排放标准》(GB39731-2020)及地方特殊要求,废气治理设施运行稳定可靠。
总结
标题: 半导体废气治理项目的环保与经济效益
正文:
环保成效:
出口废气中HF≤0.1mg/m³、苯系物≤5mg/m³、PM0.1≤1.2mg/m³,达到全球半导体行业最严排放标准;
高危气体(SiH₄、HF)泄漏风险降至零,厂区及周边生态环境显著改善。
经济性:
年节省活性炭费用约400万元,能耗成本降低40%;
投资回收期<2年,投资回报率超50%。
社会效益:
企业获评“国家集成电路产业绿色工厂”,通过ISO 14001环境管理体系认证;
因废气治理达标,成功入选“国家智能制造示范企业”,品牌国际竞争力提升。
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